NVD5C464NT4G
MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
НОВА часть #:
312-2290673-NVD5C464NT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVD5C464NT4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 59A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NVD5C464 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Ta), 59A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 40W (Tc) | |
| Другие имена | NVD5C464NT4GOSDKR NVD5C464NT4GOSTR NVD5C464NT4G-ND NVD5C464NT4GOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- 2ED21834S06JXUMA1Infineon Technologies
- Q4N3RPLittelfuse Inc.
- NP15P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- RRH090P03GZETBRohm Semiconductor
- ADP1710AUJZ-1.8-R7Analog Devices Inc.
- FDD8647Lonsemi






