IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
НОВА часть #:
312-2279727-IRF540STRRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF540STRRPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | IRF540 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | |
| Другие имена | IRF540STRRPBF-ND IRF540STRRPBFCT IRF540STRRPBFTR IRF540STRRPBFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
VS-4ECH06-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes Division
IRF540STRLPBFVishay Siliconix
RS3J-13-FDiodes Incorporated
IRF540NPBFInfineon Technologies
IRF540NSTRRPBFInfineon Technologies
CMR3-06 TR13 PBFREECentral Semiconductor Corp- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
