SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
НОВА часть #:
312-2361549-SISS63DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS63DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS63 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen III | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 236 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7080 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SISS63DN-T1-GE3CT 742-SISS63DN-T1-GE3DKR 742-SISS63DN-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LM4040D50FTADiodes Incorporated
SI7633DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LT3082EST#PBFAnalog Devices Inc.
ISC019N03L5SATMA1Infineon Technologies
INA293A5QDBVRQ1Texas Instruments
FDB9503L-F085onsemi
MMSZ5245BT1Gonsemi
MMBF0201NLT1Gonsemi
MAX17260SETD+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
NTR4501NT1Gonsemi
FDC6333Consemi
TLV803EA43VDBZRTexas Instruments
