NVMFD6H852NLT1G

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Базовый номер продукта	NVMFD6
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7A (Ta), 25A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 26µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	521 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.2W (Ta), 38W (Tc)
Другие имена	NVMFD6H852NLT1GOS NVMFD6H852NLT1GOS-ND NVMFD6H852NLT1GOSCT NVMFD6H852NLT1GOSTR NVMFD6H852NLT1GOSDKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!