BSC014NE2LSIATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-7
Базовый номер продукта	BSC014
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2700 pF @ 12 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 74W (Tc)
Другие имена	BSC014NE2LSIATMA1TR BSC014NE2LSIDKR BSC014NE2LSICT-ND BSC014NE2LSITR-ND SP000911336 BSC014NE2LSI-ND INFINFBSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1CT BSC014NE2LSICT BSC014NE2LSIDKR-ND 2156-BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!