IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
НОВА часть #:
312-2265016-IPZ65R019C7XKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPZ65R019C7XKSA1
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-4 | |
| Базовый номер продукта | IPZ65R019 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ C7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 75A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 58.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 2.92mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 215 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9900 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 446W (Tc) | |
| Другие имена | SP001024002 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPZA60R037P7XKSA1Infineon Technologies- IPZ60R040C7XKSA1Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1Infineon Technologies
UF3SC065007K4SUnitedSiC
FCH023N65S3L4onsemi- UJ4SC075006K4SUnitedSiC
IPZ60R017C7XKSA1Infineon Technologies
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon Technologies- UJ4SC075011K4SUnitedSiC
- IPZA60R045P7XKSA1Infineon Technologies
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon Technologies