TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
НОВА часть #:
312-2273447-TSM900N10CH X0G
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM900N10CH X0G
Стандартный пакет:
3,750
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-251 (IPAK) | |
| Базовый номер продукта | TSM900 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1480 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
| Другие имена | TSM900N10CHX0G TSM900N10CH X0G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
2N2907A PBFREECentral Semiconductor Corp
SUP70101EL-GE3Vishay Siliconix
1N5241BNTE Electronics, Inc
SN74HC14NTexas Instruments
1N5711STMicroelectronics
BZX79C5V6onsemi
