FDP100N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
НОВА часть #:
312-2279322-FDP100N10
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP100N10
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 75A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7300 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) | |
| Другие имена | FAIFSCFDP100N10 2156-FDP100N10-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFB4410PBFInfineon Technologies
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
