BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2288850-BSC050N10NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC050N10NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC050 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 72µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4300 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC050N10NS5ATMA1TR SP001861032 448-BSC050N10NS5ATMA1DKR BSC050N10NS5ATMA1-ND 448-BSC050N10NS5ATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC070N10LS5ATMA1Infineon Technologies
ISC0802NLSATMA1Infineon Technologies
BSC027N10NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC098N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
NTMFSC4D2N10MConsemi
LT8311EFE#PBFAnalog Devices Inc.
