IXFB110N60P3
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
НОВА часть #:
312-2291640-IXFB110N60P3
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFB110N60P3
Стандартный пакет:
25
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 110A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PLUS264™ | |
| Базовый номер продукта | IXFB110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Polar3™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 245 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-264-3, TO-264AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 18000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1890W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDL100N50Fonsemi
IXFB100N50Q3IXYS
APT106N60LC6Microchip Technology