SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2282447-SI7149DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7149DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7149 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 147 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4590 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 69W (Tc) | |
| Другие имена | SI7149DP-T1-GE3TR SI7149DP-T1-GE3DKR SI7149DP-T1-GE3CT SI7149DP-T1-GE3-ND |
In stock Нужно больше?
0,97690 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
16SVPC39MVPanasonic Electronic Components
SI7135DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NX5032GA-30.000000MHZ-LN-CD-1NDK America, Inc.
CSD25402Q3ATexas Instruments
SBRD10200TRSMC Diode Solutions
STPS20M100SG-TRSTMicroelectronics- SI7149ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
