BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
НОВА часть #:
312-2281328-BSC070N10NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC070N10NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC070 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 50µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | |
| Другие имена | BSC070N10NS5ATMA1CT BSC070N10NS5ATMA1TR SP001241596 BSC070N10NS5ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon Technologies
BSC070N10LS5ATMA1Infineon Technologies- BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SBRT15U100SP5-13Diodes Incorporated
BSC070N10NS3GATMA1Infineon Technologies
LT8490IUKJ#PBFAnalog Devices Inc.- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
MMBT5550LT1Gonsemi- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
74AUP1G04GW,125Nexperia USA Inc.- BSC098N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC0803LSATMA1Infineon Technologies
