TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
НОВА часть #:
312-2290610-TK100A06N1,S4X
Производитель:
Номер детали производителя:
TK100A06N1,S4X
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220SIS | |
| Базовый номер продукта | TK100A06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10500 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 45W (Tc) | |
| Другие имена | TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X-ND TK100A06N1S4X |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK100A10N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage
S-93C66BD0I-J8T1GABLIC U.S.A. Inc.- TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and Storage