SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
НОВА часть #:
312-2285281-SI4447ADY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4447ADY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4447 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 970 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.2W (Tc) | |
| Другие имена | SI4447ADY-T1-GE3TR SI4447ADY-T1-GE3CT SI4447ADY-T1-GE3DKR SI4447ADY-T1-GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AO3423Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ABM8-25.000MHZ-D1X-TAbracon LLC
USB2641-HZH-02Microchip Technology
MM3Z12VBonsemi
FDS4685onsemi
SQ4401EY-T1_GE3Vishay Siliconix- SI4401FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
LDK130M25RSTMicroelectronics
AS1D-5M-10-ZNidec Copal Electronics
