SIUD403ED-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
НОВА часть #:
312-2279286-SIUD403ED-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIUD403ED-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 0806 | |
| Базовый номер продукта | SIUD403 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen III | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 500mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 0806 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 31 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta) | |
| Другие имена | SIUD403ED-T1-GE3DKR SIUD403ED-T1-GE3TR SIUD403ED-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and Storage
- SI2333DDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- DMP21D6UFD-7Diodes Incorporated




