NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
НОВА часть #:
312-2285483-NTLJS17D0P03P8ZTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTLJS17D0P03P8ZTAG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-PQFN (2x2) | |
| Базовый номер продукта | NTLJS17 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 860mW (Ta) | |
| Другие имена | NTLJS17D0P03P8ZTAGOSTR NTLJS17D0P03P8ZTAGOSCT NTLJS17D0P03P8ZTAGOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemi
DMP3028LFDE-13Diodes Incorporated
SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM6J507NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FDMA6676PZonsemi- DMP3026SFDE-7Diodes Incorporated