SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
НОВА часть #:
312-2287931-SQD40131EL_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD40131EL_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD40131 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 62W (Tc) | |
| Другие имена | SQD40131EL_GE3CT SQD40131EL_GE3TR SQD40131EL_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUD50P04-09L-E3Vishay Siliconix
BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies- SQD50P04-13L_GE3Vishay Siliconix
IPD50P04P413ATMA1Infineon Technologies
TPS2590RSARTexas Instruments
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQD40081EL_GE3Vishay Siliconix
STD45P4LLF6AGSTMicroelectronics
DMP4010SK3-13Diodes Incorporated- SUD50P04-08-GE3Vishay Siliconix
- DMP4010SK3Q-13Diodes Incorporated
- IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies
FDD4141Fairchild Semiconductor
