IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
НОВА часть #:
312-2264378-IRFD020PBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFD020PBF
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | 4-HVMDIP | |
| Базовый номер продукта | IRFD020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Tc) | |
| Другие имена | *IRFD020PBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- RFD14N05Lonsemi
- TSM035NB04CZTaiwan Semiconductor Corporation
- IRFD024PBFVishay Siliconix
- TSM043NB04CZTaiwan Semiconductor Corporation
- ZVN4306AVDiodes Incorporated





