IPW60R099P6XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3

НОВА часть #:

312-2289824-IPW60R099P6XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPW60R099P6XKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3
Базовый номер продукта	IPW60R099
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ P6
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	37.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 1.21mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3330 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	278W (Tc)
Другие имена	2156-IPW60R099P6XKSA1 SP001114658 INFINFIPW60R099P6XKSA1