SI8416DB-T2-E1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Базовый номер продукта	SI8416
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	16A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	6-UFBGA
VGS (макс.)	±5V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1470 pF @ 4 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Другие имена	SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!