DMN2011UFDE-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	U-DFN2020-6 (Type E)
Базовый номер продукта	DMN2011
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	6-PowerUDFN
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2248 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	610mW (Ta)
Другие имена	DMN2011UFDE-7DIDKR DMN2011UFDE-7DITR DMN2011UFDE-7DICT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!