C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
НОВА часть #:
312-2293391-C3M0280090J-TR
Производитель:
Номер детали производителя:
C3M0280090J-TR
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK-7 | |
| Базовый номер продукта | C3M0280090 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | C3M™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1.2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +18V, -8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 900 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 150 pF @ 600 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
| Другие имена | C3M0280090J-TRCT C3M0280090J-TRTR C3M0280090J-TRDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
C3M0280090JWolfspeed, Inc.- C3M0120090JWolfspeed, Inc.