TPH11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
НОВА часть #:
312-2281158-TPH11006NL,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH11006NL,LQ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH11006 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta), 34W (Tc) | |
| Другие имена | TPH11006NLLQCT TPH11006NLLQTR TPH11006NL,LQ(S TPH11006NLLQDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and Storage
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated