IRLS3813TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288859-IRLS3813TRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLS3813TRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263AB) | |
| Базовый номер продукта | IRLS3813 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 160A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 148A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 83 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8020 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 195W (Tc) | |
| Другие имена | SP001573098 IRLS3813TRLPBFDKR IRLS3813TRLPBFCT IRLS3813TRLPBFTR IRLS3813TRLPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SN74LV573ADWTexas Instruments
SBR15U100CTL-13Diodes Incorporated
IRLML6344TRPBFInfineon Technologies
