MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
НОВА часть #:
312-2279869-MMIX1F180N25T
Производитель:
Номер детали производителя:
MMIX1F180N25T
Стандартный пакет:
20
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 24-SMPD | |
| Базовый номер продукта | MMIX1F180 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 132A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 364 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 24-PowerSMD, 21 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 570W (Tc) | |
| Другие имена | -MMIX1F180N25T |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTT100N25PIXYS