SQJQ131EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
НОВА часть #:
312-2297456-SQJQ131EL-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJQ131EL-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,000
P-Channel 30 V 280A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 280A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 731 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 8 x 8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 33050 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 600W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJQ131EL-T1_GE3CT 742-SQJQ131EL-T1_GE3TR 742-SQJQ131EL-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTX210P10TIXYS
TJ200F04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay Siliconix