IRL40T209ATMA1
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2289711-IRL40T209ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IRL40T209ATMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 300A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IRL40T209 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | StrongIRFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 300A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.72mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 269 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 16000 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) | |
| Другие имена | IRL40T209ATMA1CT IRL40T209ATMA1TR SP001648026 IRL40T209ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDBL0065N40onsemi
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies