IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
НОВА часть #:
312-2283614-IPB110N20N3LFATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB110N20N3LFATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 3 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 88A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.2V @ 260µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 650 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) | |
| Другие имена | SP001503864 IPB110N20N3LFATMA1DKR IPB110N20N3LFATMA1TR IPB110N20N3LFATMA1CT IPB110N20N3LFATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT4256-2IS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
IPB020N10N5LFATMA1Infineon Technologies
CLM3C-AKW-CUBVA353CreeLED, Inc.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- IRF200S234Infineon Technologies
XZM2DG78WSunLED
2N7002WDiotec Semiconductor- IPB033N10N5LFATMA1Infineon Technologies