NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
НОВА часть #:
312-2301908-NTD4979N-35G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTD4979N-35G
Стандартный пакет:
75
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | I-PAK | |
| Базовый номер продукта | NTD4979 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 837 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| Другие имена | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTD4808N-1Gonsemi