FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
НОВА часть #:
312-2282643-FDMC8327L
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC8327L
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | FDMC8327 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta), 14A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1850 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 30W (Tc) | |
| Другие имена | FDMC8327L-ND FDMC8327LCT FDMC8327LTR FDMC8327LDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- LTC4162EUFD-L42#PBFAnalog Devices Inc.
- DMN62D1SFB-7BDiodes Incorporated
- DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
- FDMC8015Lonsemi
- 1N4448HLP-7Diodes Incorporated
- LTC4015EUHF#PBFAnalog Devices Inc.
- FDMC8030onsemi
- LTC4162EUFD-LAD#PBFAnalog Devices Inc.
- SI7611DN-T1-GE3Vishay Siliconix







