FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
НОВА часть #:
312-2290303-FDMA86108LZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMA86108LZ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-MicroFET (2x2) | |
| Базовый номер продукта | FDMA86108 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 243mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 163 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta) | |
| Другие имена | FDMA86108LZDKR FDMA86108LZCT FDMA86108LZTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMA86151Lonsemi- FDMA86251onsemi
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage