RAQ045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
НОВА часть #:
312-2296707-RAQ045P01TCR
Производитель:
Номер детали производителя:
RAQ045P01TCR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSMT6 (SC-95) | |
| Базовый номер продукта | RAQ045 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | -8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4200 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 600mW (Ta) | |
| Другие имена | RAQ045P01TCRCT 846-RAQ045P01TCRTR RAQ045P01TCRTR-ND RAQ045P01TCRDKR-ND RAQ045P01TCRDKR 846-RAQ045P01TCRCT 846-RAQ045P01TCRDKR RAQ045P01TCRCT-ND RAQ045P01TCRTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and Storage
FDC606Ponsemi