TJ80S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
НОВА часть #:
312-2295949-TJ80S04M3L,LXHQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TJ80S04M3L,LXHQ
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK+ | |
| Базовый номер продукта | TJ80S04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 158 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +10V, -20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7770 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 100W (Tc) | |
| Другие имена | TJ80S04M3L,LXHQ(O 264-TJ80S04M3LLXHQCT 264-TJ80S04M3LLXHQDKR 264-TJ80S04M3LLXHQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TJ60S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage
STDP4320BAKinetic Technologies- TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
