IPD80R2K7C3AATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D-Pak
Базовый номер продукта	IPD80R2
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	800 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	290 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	42W (Tc)
Другие имена	INFINFIPD80R2K7C3AATMA1 2156-IPD80R2K7C3AATMA1 SP001065818 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR IPD80R2K7C3AATMA1-ND 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT