DMT6009LK3-13
MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
НОВА часть #:
312-2290501-DMT6009LK3-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT6009LK3-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 13.3A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMT6009 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.3A (Ta), 57A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1925 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.6W (Ta) | |
| Другие имена | DMT6009LK3-13DITR DMT6009LK3-13DICT DMT6009LK3-13DIDKR DMT6009LK3-13-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT1910ES8#PBFAnalog Devices Inc.
DRV8711DCPRTexas Instruments
SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
NX3225SA-16.000000MHZ-T1NDK America, Inc.
BAT54TADiodes Incorporated
LM4040AIM3-2.5/NOPBTexas Instruments
CAT24C32WI-GT3onsemi
2-1825013-0TE Connectivity ALCOSWITCH Switches
IXTY90N055T2IXYS
TCAN337GDCNTTexas Instruments
