FDD86110

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK

НОВА часть #:

312-2282661-FDD86110

Производитель:

Номер детали производителя:

FDD86110

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FDD861
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12.5A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2265 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.1W (Ta), 127W (Tc)
Другие имена	FDD86110CT FDD86110TR FDD86110-ND ONSONSFDD86110 FDD86110DKR 2156-FDD86110-OS