PSMN102-200Y,115

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LFPAK56, Power-SO8
Базовый номер продукта	PSMN102
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	21.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	30.7 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SC-100, SOT-669
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1568 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	113W (Tc)
Другие имена	1727-5227-6 568-6544-2-ND 568-6544-1-ND 1727-5227-2 PSMN102-200Y T/R-ND 1727-5227-1 PSMN102200Y115 568-6544-6-ND PSMN102-200Y,115-ND 568-6544-6 PSMN102-200Y T/R 568-6544-2 568-6544-1 934061323115