NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
НОВА часть #:
312-2265020-NTBG020N090SC1
Производитель:
Номер детали производителя:
NTBG020N090SC1
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 900 V 9.8A (Ta), 112A (Tc) 3.7W (Ta), 477W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK-7 | |
| Базовый номер продукта | NTBG020 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.8A (Ta), 112A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.3V @ 20mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 200 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +19V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 900 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4415 pF @ 450 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 477W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTBG020N090SC1TR 488-NTBG020N090SC1CT 488-NTBG020N090SC1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTHL060N090SC1onsemi
NTH4L060N090SC1onsemi- NTBG060N090SC1onsemi
NTBG020N120SC1onsemi
NCP51705MNTXGonsemi- NTHL020N090SC1onsemi
- NVBG060N090SC1onsemi
- SCTH70N120G2V-7STMicroelectronics
- NVBG020N120SC1onsemi
- NTBG040N120SC1onsemi
- NVBG020N090SC1onsemi
