SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
НОВА часть #:
312-2288481-SIDR638DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIDR638DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8DC | |
| Базовый номер продукта | SIDR638 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 204 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | +20V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10500 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | SIDR638DP-T1-GE3CT SIDR638DP-T1-GE3TR SIDR638DP-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BYG22B-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
SIRA50DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR638DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIR638ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
PMD3001D,115Nexperia USA Inc.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
