CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
НОВА часть #:
312-2288150-CSD19538Q2T
Производитель:
Номер детали производителя:
CSD19538Q2T
Стандартный пакет:
250
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-WSON (2x2) | |
| Базовый номер продукта | CSD19538 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | NexFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 454 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | |
| Другие имена | 296-44612-1 296-44612-2 296-44612-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CSD19538Q2Texas Instruments
TS3USB221ARSERTexas Instruments
DG408LEDN-T1-GE4Vishay Siliconix
CSD19538Q3ATTexas Instruments
AON2290Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DST3904DJ-7Diodes Incorporated
LMG1205YFXRTexas Instruments
S558-5500-68Bel Fuse Inc.
SH-7070TANidec Copal Electronics
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
TPS23881ARTQTTexas Instruments- CSD19538Q3ATexas Instruments
