SI7336ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2273097-SI7336ADP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7336ADP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7336 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5600 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.4W (Ta) | |
| Другие имена | SI7336ADP-T1-GE3TR SI7336ADP-T1-GE3-ND SI7336ADP-T1-GE3CT SI7336ADP-T1-GE3DKR SI7336ADPT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
OPA4277UATexas Instruments
CMDSH-3 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
CMS04(TE12L,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage
SI7336ADP-T1-E3Vishay Siliconix
BSC050N03LSGATMA1Infineon Technologies
SISS27DN-T1-GE3Vishay Siliconix
PA0184NLTPulse Electronics Power
