SIB441EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
НОВА часть #:
312-2284840-SIB441EDK-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIB441EDK-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-75-6 | |
| Базовый номер продукта | SIB441 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-75-6 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1180 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | |
| Другие имена | SIB441EDK-T1-GE3CT SIB441EDK-T1-GE3DKR SIB441EDK-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- AD8606ACBZ-REEL7Analog Devices Inc.
- MAX9039BEBT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
- NZ9F3V3ST5Gonsemi
- MAX4231AYT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated




