IRF200B211

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

НОВА часть #:

312-2275547-IRF200B211

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF200B211

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Базовый номер продукта	IRF200
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®, StrongIRFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.9V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	790 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	80W (Tc)
Другие имена	SP001561622 INFIRFIRF200B211 2156-IRF200B211