STD12N65M2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

НОВА часть #:

312-2278857-STD12N65M2

Производитель:

Номер детали производителя:

STD12N65M2

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Базовый номер продукта	STD12
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	MDmesh™ M2
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	535 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	85W (Tc)
Другие имена	497-15458-2 497-15458-1 497-15458-6