SQ4483BEEY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2273029-SQ4483BEEY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4483BEEY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 22A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SQ4483 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 113 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 7W (Tc) | |
| Другие имена | SQ4483BEEY-T1_GE3DKR SQ4483BEEY-T1_GE3TR SQ4483BEEY-T1_GE3-ND SQ4483BEEY-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4425DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
BZT52-C3V3XNexperia USA Inc.
CMS04(TE12L,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage- SI4143DY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM150P04LCS RLGTaiwan Semiconductor Corporation- SQ4425EY-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4483EY-T1_BE3Vishay Siliconix
FDS6681Zonsemi
IRF9310TRPBFInfineon Technologies- SQ4425EY-T1_BE3Vishay Siliconix
