DMN6013LFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
НОВА часть #:
312-2292184-DMN6013LFGQ-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN6013LFGQ-7
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI3333-8 | |
| Базовый номер продукта | DMN6013 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10.3A (Ta), 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 55.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2577 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | DMN6013LFGQ-7DIDKR DMN6013LFGQ-7-ND -DMN6013LFGQ-7DICT DMN6013LFGQ-7DICT DMN6013LFGQ-7DITR -DMN6013LFGQ-7DITR -DMN6013LFGQ-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated