TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
НОВА часть #:
312-2283324-TK31V60X,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK31V60X,LQ
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Базовый номер продукта | TK31V60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DTMOSIV-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 9.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Super Junction | |
| Пакет/кейс | 4-VSFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3000 pF @ 300 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 240W (Tc) | |
| Другие имена | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQDKR TK31V60XLQCT TK31V60XLQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MIC4416YM4-TRMicrochip Technology
