IXTY08N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
НОВА часть #:
312-2304009-IXTY08N100D2-TRL
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTY08N100D2-TRL
Стандартный пакет:
2,500
N-Channel 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | IXTY08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Depletion | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 800mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 325 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 60W (Tc) | |
| Другие имена | 238-IXTY08N100D2-TRLTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTY08N100D2IXYS