CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
НОВА часть #:
312-2282837-CSD19502Q5B
Производитель:
Номер детали производителя:
CSD19502Q5B
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| Базовый номер продукта | CSD19502 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | NexFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4870 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) | |
| Другие имена | 296-37194-1 296-37194-2 CSD19502Q5B-ND -296-37194-1 -296-37194-1-ND 296-37194-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CSD19502Q5BTTexas Instruments
A6213KLJTR-TAllegro MicroSystems
BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SBRD10200TRSMC Diode Solutions
STPS20M100SG-TRSTMicroelectronics
SB20150TASMC Diode Solutions
CSD18543Q3ATexas Instruments
SN65LVDS1DBVRTexas Instruments
MBR1H100SFT3Gonsemi