FCA20N60-F109
DISCRETE MOSFET
НОВА часть #:
312-2276816-FCA20N60-F109
Производитель:
Номер детали производителя:
FCA20N60-F109
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-3PN | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SuperFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3080 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-FCA20N60-F109-488 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
HUFA75852G3-F085Fairchild Semiconductor
SCH1331-TL-Wonsemi
IRF730Harris Corporation
